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      測試服務

    本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

    本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

    表一  二極管相關測試項目

    測試類別

    測試項目

     

    參數

    符號

    電性能參數

    靜態參數

    正向電壓

    VF

    1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

    2.        可提供測試曲線或波形

    3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

    4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

    反向漏電

    IR

    反向擊穿電壓

    VBR

    正向平均電流

    IFAV

    動態參數

    結電容

    CJ

    反向恢復時間相關參數

    Trr/Ta/Tb/S

    反向恢復峰值電流

    Irm

    反向恢復電荷

    Qrr

    電壓變化率

    dv/dt

    熱性能參數

    耗散功率

    PD

     

    結到環境熱阻

    Rthj-a

     

    結到殼熱阻

    Rthj-c

    根據封裝不同,可能為j-l

    其他特殊參數

    插入損耗

    S21

     

    箝位電壓

    Vc

    8/20μs10/1000μs

    動態電阻

    RDYN

    TLP測試

    單脈沖雪崩能量

    EAS

     

     

    表二  三極管相關測試項目

    測試類別

    測試項目

     

    參數

    符號

    電性能參數

    靜態參數

    各類擊穿電壓

    V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

    1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

    2.        可提供測試曲線或波形

    3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

    4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

    各類漏電

    ICEO/ICBO/IEBO

    靜態電流增益

    hFE

    基極-發射極導通電壓

    VBE(on)

    各種飽和壓降

    VBEsat/VCE(sat)

    動態參數

    各類電容

    Cobo/Cibo/Cre

    延遲時間

    Td

    上升時間

    Tr

    存儲時間

    Ts

    下降時間

    Tf

    熱性能參數

    耗散功率

    PD

     

    結到環境熱阻

    Rthj-a

     

    結到殼熱阻

    Rthj-c

     

    其他特殊參數

    增益帶寬積(特征頻率)

    fT

     

    插入功率增益

    S21e2

     

    噪聲系數

    NF

    高頻

     

    表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

    測試類別

    測試項目

     

    參數

    符號

    電性能參數

    靜態參數

    各類擊穿電壓

    V(BR)DSS/V(BR)GSS

    1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

    2.        可提供測試曲線或波形

    3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

    4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

    5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

    C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

    各類漏電

    IDSS/IGSS

    柵極閾值電壓

    VGSth

    導通電阻

    RDS(on)

    飽和壓降

    VCE(sat)

    二極管正向壓降

    VSD/VF

    動態參數

    正向跨導

    Gfs

    柵極電阻

    Rg

    輸入、輸出、反向轉移電容

    Ciss/Coss/Crss

    有效輸出電容

    Coer/Cotr

    開關時間

    Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

    導通損耗

    Eon/Eoff

    反向恢復時間相關參數

    Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

    柵極電荷

    Qg/Qgs/Qgd

    短路電流、漏極脈沖電流

    Isc/IDM

    熱性能參數

    耗散功率

    PD

    結到環境熱阻

    Rthj-a

    結到殼熱阻

    Rthj-c

    其他特殊參數

    單脈沖雪崩能量

    EAS

    說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

     

    聯系方式:

    聯系人:馬先生

    TEL0571-86714088-75546

    Emailmaqinyang@silanic.com.cn

     

     
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